باحثون يطورون أول ذاكرة تخزين مرنة قابلة للطي – صورة

هذا النوع من الذاكرات يعمل بالطريقة ذاتها التي تعمل بها ذاكرة الوصول العشوائي المقاومة “RRAM”، من حيث القيام بكافة الوظائف من كتابة وقراءة وحذف على أكمل وجه، فهي من الممكن أن تحل محل ذاكرة الوصول العشوائي DRAM” المستخدمة حالياً في أجهزة الكمبيوتر الشخصية.

ويعتبر تكوين إلكترونيات مرنة قابلة للطي ليس بالأمر الهين، لأن معظم خلايا الذاكرة المبنية من مواد عضوية قد تتأثر ببعضها البعض أو تتداخل فيما بينها بسبب تجاور الخلايا، وعند دمج “RRAM” مع “ميمريستور” ظهرت مشكلة بطء تدفق التيار الكهربائي، لكن الباحثين استطاعوا إيجاد حل لهذه المشكلة، من خلال تطوير ذاكرة لا تتأثر بتداخل الخلايا مع سرعة في تدفق التيار الكهربي.

فهذه الذاكرة مكونة من جهاز ترانزيستور تقليدي من السيلكيون قابل للطي والإنحناء مدمجا داخل كل خلية من خلايا الأداة الإلكترونية المسماة بـ”ميمريستور” – “Memristor”.

العربية نت