تقنية معلومات
أول ذاكرة DDR2 فائقة الأداء للحواسيب النقالة
وقال مارك تيكونوف، كبير مدراء التقنية في كنجستون تكنولوجي: “مع اعتماد المزيد من الحواسيب النقالة على منصة 800 ميجاهرتز الأفضل سرعة، وخاصة حزمة رقاقات إنتل سنترينو 2، صمّم مهندسو كنجستون ذاكرة HyperX SO-DIMM عالية الأداء ومتدنية الكمون لدعمها دعماً مباشراً. وتوفر الذاكرة الجديدة خيارات الترقية المرنة وقدرة على تعزيز أداء العديد من الحواسيب النقالة الحالية، أي دعم المنصتين 800 ميجاهيرتز و667 ميجاهرتز بالذاكرتين SO-DIMM CL3 وSO-DIMM CL4 متدنية الكمون وذات الأداء الأفضل.
وتلائم ذاكرة الحواسيب النقالة HyperX SO-DIMM على نحو مثالي مستخدمي الحواسيب النقالة الذين يريدون تعزيز أداء النظام من خلال استبدال ذاكرة الحواسيب النقالة المعيارية بذاكرة ذات أداء أفضل لتوفر أعلى سرعة ممكنة دون الحاجة إلى تعديل نظام المدخلات/المخرجات الأساسية “البيوس”. وصممت كنجستون تكنولوجي وحدة الذاكرة CL4 بسرعة 800 ميجاهيرتز للحواسيب النقالة الجديدة “بي 45/سنترينو 2” وهي مزودة بتهيئتين مبرمجتين مسبقاً عاليتي الكمون هما: DDR2-800 CL4-4-4-12 @1.8V و DDR2-667 CL3-4-4-10 @1.8V.
ويأتي إطلاق حزمة الذاكرة SO-DIMM بسرعة 800 ميجاهيرتز متدنية الكمون من كنجستون تكنولوجي استكمالاً لسلسلة من حلول الذاكرة الخاصة بالحواسيب النقالة المصممة لتمكين مستخدميها من الحصول على أفضل أداء ممكن من حواسيبهم الحالية. وكانت كنجستون تكنولوجي قد أطلقت مؤخراً النسخة متدنية الكمون من ذاكرة الحواسيب النقالة HyperX 800MHz DDR2 SO-DIMM والمبرمجة مسبقاً بثلاث وضعيات لخاصية “رصد الوجود المتسلسل” تتيح للذاكرة أن تعمل في التهيئات الثلاثة 800MHz-CLS و 667MHz-CL4 و 533MHz-CL3.
المصدر :أيلاف[/ALIGN]